最近，Huizhuan在钻探CVD硅碳化物喷雾磁盘加工方面取得了创新的突破，其硬度为HV3,150。 D1.0/D0.5mm步骤孔处理时间仅为5分58秒。与外国加工技术相比，处理时间缩短了47.8％，工具寿命增加了160％，并且处理成本降低了50％，这大大提高了主要半导体组件的生产效率！ 1。工件信息材料：碳化硅（HV3,150）处理特性：D1.0*6.9mm/ d0.5*5.5mm步骤孔CVD硅碳化物喷雾盘具有高硬且脆性的较高且较脆的特性，长期处理和高处理成本。目前，高精度硅Carbaic喷雾盘仍需要依靠外国进口量。在这个项目中，工件的硬度在TOHV3,150上，加工孔直径很小，并且钻孔处理非常困难。它很容易使用传统处理解决方案，工具寿命短，工具可以轻松地破裂并留在孔中，从而导致工件的刮擦。 2。解决方案使用超声绿色雕刻和研磨成员-600中心，结合了超声幅度仪器测量的一般解决方案，超声波冷压工具支架和高效率以及快速的PCD钻头进行处理。 3。处理影响（1）Huizhi超声处理时间过程D1.0/d0.5mm步骤孔，处理时间仅为5分58秒，并且处理效率处理为47.8％（2）工具寿命很棒，快速PCD钻头将磨损更多。它可以在处理模式下处理520个漏洞，工具寿命增加了160％（3）的成本，处理单个工件处理成本的成本大大降低了50％（4）客户的孔漏洞≤0.01mm，而Huizhi Ultrasonic Schement的处理则是Met。 D1.0孔旋转优于目标价值37％。 d 0.5孔圆度优于目标值59％（5）孔位置度孔位置度量，D1.0孔位置度量优于目标值80％，d0.5孔位置度比目标值（6）孔同心孔孔的孔pontricity pontermity postorienty hole hole contricity poltigity hole hole contrientient hole hole spectricity超过目标价值48％（7）（7）（7） processing, D1.0 hole verticality is better than the target value 34%, D0.5 hole verticality is better than the target value 22%(8) Hole wall roughness target target SA≤0.1μm, Huizhi ultrasonic processing scheme, D1.0 hole average roughness at 0.037μm, better than the target value of 63%, D0.5 holes average rough to 64% (9) the value of orifice collapse is raised to使用显微镜50次。孔口塌陷的值≤0.02mm。目前，Huizhu Ultrasonic绿色雕刻和铣削加工中心，超声波冷压刀holder and PCD drill bit is widely used in the semiconductor industry, and extremely efficient, high quality and low processing processing in various semiconductor materials such as silicon carbide, single crystal silicon, polycrystallin silicon, quartzed silicon silicon, polycrycrystall silicon, quartz, quartz silicon, polycrycrystall silicon, quartz quartz硅，多晶硅，石英石英硅，polycrycrystall Silicon，Quartz Quartzal Silicon，PolycryCrystall Silicon，Quartz Quartz Quartz silikon，polycrycrycrycrycrycrystall Silicon。玻璃，碳化物，氧化铝，铝合金等。如果您有相关的处理需求，请与我们联系！申请企业家报告，并分享企业家精神的好主意。单击此处，一起讨论新的创业机会！