三星电子副总裁兼系统包装实验室负责人Kim Dae-woo的韩国媒体ETNEWS和ZDNET KOREA表示，7月22日的主页表示，今日的行业研讨会说，现有的热压缩键合（TCB）技术无法满足20层20层（超过16层层）HBM记忆力的20层生产的需求。负责连接DRAM DIE层的粘结过程在HBM的制造中起着重要作用，传统的TCB包含凸起结构，影响进一步的间距压缩并具有更高的热电阻。根据三星电子提供的数据，浮力混合键合（HCB）将堆叠层的数量增加到1/3，并将热阻力降低多达20％。 ▲三星电子 - 结合技术规划Mapics的HBM三星电子来源，由ZDNET韩国ZDNET Samsung Electronics提到16层堆叠作为HBM内存键合技术的关键节点。M TCB到HCB，几乎与HBM4E内存的整个生成相匹配，而HBM5混合键合将实现完整的应用。